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计算了具有线性Ｇｅ分布的ＳｉＧｅ基区价带有效态密度和空穴浓度的分布，分析了基区内建电场的物理机制，分别采用Ｂｏｌｔｚｍａｎ统计和Ｆｅｒｍｉ－Ｄｉｒａｃ统计给出了内建电场分布的表达式并进行了计算，最后讨论了基区重掺杂对电场的影响。
HBT中基区内建电场的物理机制及其理论分析
【摘 要】
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计算了具有线性Ｇｅ分布的ＳｉＧｅ基区价带有效态密度和空穴浓度的分布，分析了基区内建电场的物理机制，分别采用Ｂｏｌｔｚｍａｎ统计和Ｆｅｒｍｉ－Ｄｉｒａｃ统计给出了内建电场分布的表达式并进行了计算，最后讨论了基区重掺杂对
【机 构】
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东南大学微电子中心
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1999年3期
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