硅雪崩光电二极管单光子探测器

• 作 者: 梁创 aphy.iphy.ac.cn 廖静 梁冰 吴令安
• 机 构: 中国科学院物理研究所光物理开放实验室!北京603-15信箱100080,Email:qo,中国科学院物理研究所光物理开放实验室!北京603-15信箱100080,中国科学院物理研究所光物理开放实验室!
• 出 处: 光子学报
• 发表日期: 2000年12期
• 关键词: 雪崩光电二极管 雪崩抑制 盖革模式 单光子探测

将硅雪崩光电二极管应用于盖革模式下 ,制作出高量子效率、低噪音、短死时间的单光子探测器 .设计并制作了雪崩抑制电路 ,获得探测器特性参量为无源抑制方式下死时间1 μs,有源抑制下 60～ 80 ns,输出脉冲宽度 1 5～ 2 0 ns.并详细检测了探测器直到液氮温度下的特性 .观察到一些新现象