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本文主要以电子显微镜为手段研究了离子注入形成的ＴｉＳｉ２薄膜的微观结构，发现了一种新的ＴｉＳｉ２相，初步确定它为简单正交结构，点阵常数与已知的Ｃ４９－ＴｉＳｉ２相等，并发现新的ＴｉＳｉ２可向Ｃ４９－ＴｉＳｉ２转化；在８００℃条件下保温３０分钟，Ｃ５４－ＴｉＳｉ２可在Ｓｉ（１１１）基片上外延生长，取向关系为：「１２１」ＴｉＳｉ２「１１０」ｓｉ，（１１１）ＴｉＳｉ２（１１１）ｓｉ。