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实验发现正偏压下的MOS电容受辐照引起的平带电压位移与SiO_2栅介质膜厚度的三次方成正比。实验结果说明辐照感生界面态在MOS电容的平带电压漂移中起重要作用。就抗辐照性能而言,采纳于氧氧化工艺的最佳温度匀1000℃;高于1000℃的氮气退火或氢介入Si-SiO_2界面都会严重降低MOS器件的抗辐照能力。辐照产生界面态的原因是在Si到SiO_2。过渡层中存在未电离的过剩硅。