MOCVD法生长Ga、P掺杂的ZnO薄膜

• 作 者: 殷伟 张金香 崔夕军 赵旺 王辉 史志峰 董鑫 张宝林 杜国
• 机 构: 集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院
• 出 处: 发光学报
• 发表日期: 2013年1期
• 关键词: MOCVD ZNO薄膜 Ga、P掺杂 MOCVD ZnO films Ga-doped P-doped
• 基金项目: 国家“973”计划第五课题（2011CB302005,61076045,61006006）资助项目

采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备Ga、P掺杂的ZnO薄膜,分别采用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测试、光致发光谱对样品进行表征。通过Ga、P掺杂分别得到n、p型ZnO薄膜,n型ZnO薄膜的载流子浓度可以达到1×1019cm-3,p型ZnO薄膜的载流子浓度达到1.66×1016cm-3。所制备的ZnO薄膜具有c轴择优生长取向,并且p型ZnO薄膜具有较好的光致发光特性。