【摘 要】
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本文介绍了一种形成钛金属硅化物(TiSi_2)的新方法(离子注入法),给出其形成条件与钛注入剂量和能量的关系。实验结果表明,TiSi_2膜的薄层电阻为0.95Ω/□,相应的体电阻率为26
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所
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本文介绍了一种形成钛金属硅化物(TiSi_2)的新方法(离子注入法),给出其形成条件与钛注入剂量和能量的关系。实验结果表明,TiSi_2膜的薄层电阻为0.95Ω/□,相应的体电阻率为26μΩ-cm约比通常重掺杂LPCVD多晶硅的小一个数量级。文中还利用X-射线衍射、TEM电子衍射、AES和SIMS等分析方法对TiSi_2的微观结构、离子分布以及其组分进行了研究。
In this paper, a new method of forming TiSi_2 (ion implantation method) is introduced, and the relationship between the formation conditions and the dose and energy of Ti implantation is given. The experimental results show that the sheet resistance of TiSi_2 film is 0.95Ω / □, and the corresponding volume resistivity of 26μΩ-cm is about one order of magnitude smaller than that of the normally heavily doped LPCVD polysilicon. The microstructure, ion distribution and composition of TiSi_2 were also studied by X-ray diffraction, TEM, AES and SIMS.
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