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报道了一个单片行波功率放大器的研究结果，单级放大器电路采用６个栅宽为４２０μｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ作为有源器件，通过采用栅串联电容和漏线阻抗渐变技术，在（１－１３）ＧＨｚ频率范围内线性增益为７．５±０．５ｄＢ输出功率大于０．５Ｗ，功率附加效率为１６％，输入输出驻波比在１．２－２．１之间，采用离子注入，背面通孔等先进工艺制作在厚度为０．１ｍｍ的ＧａＡｓ基片上，芯片面积伪３．７ｍｍ×１．８５ｍｍ，将