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本文叙述了S波段振荡用大功率GaAs FET的设计考虑、结构和制作,给出了器件性能。在3GHz下,器件振荡输出功率为3.34W,直流—射频转换效率为47.4％。
S波段振荡用大功率GaAsFET的设计和研制
【摘 要】
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本文叙述了S波段振荡用大功率GaAs FET的设计考虑、结构和制作,给出了器件性能。在3GHz下,器件振荡输出功率为3.34W,直流—射频转换效率为47.4％。
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京电子器件研究所210016,210016,210016
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1993年2期
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