Relaxation of residual stresses in SiC wafers by annealing

• 作 者: CHEN Xiufang XU Xiangang HU Xi
• 机 构: StateKeyLaboratoryofCrystalMaterials
• 出 处: 稀有金属：英文版
• 发表日期: 2006年6期
• 关键词: 松弛 残留应力 SiC晶片 退火 机械抛光 SiC annealing residual stress mechanical polishing che
• 基金项目: This work was financially supported by the National Natural Science Foundation of China （Nos. 60025409 and 50472068） and by the National ＂863＂High Technology Plan （No. 2001AA311080）.

剩余压力在原文如此，晶片，包括锯在生产进程期间被介绍，舔，机械擦亮(MP ) ，并且化学药品机械的擦亮(CMP ) ，在弯曲和高分辨率的 X-raydiffractometer (HRXRD ) 的半径以变化被评估大小。退火是一个有效方法减少压力地并且改进晶片平坦，这被发现。舔的过程比另外的用机器制造的过程产生了更多的剩余压力，并且这些压力能被热处理放松。Theresults 证明退火是在整个生产过程舔的一个必要过程追随者。蚀刻结果的熔融的 KOH 说明了在压力的松驰和基础螺丝钉脱臼的创造之间的关联。