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利用直流磁控溅射技术在单晶硅和光学玻璃表面制备了掺硅类金刚石薄膜，采用紫外-可见光光谱仪、原子力显微镜、X射线光电子能谱（XPS），荧光光谱仪考察了不同硅含量对类金刚石薄膜的光学透过、表面形貌、电子结构和光学带隙的影响。结果表明，掺硅后的类金刚石薄膜的表面粗糙度先变大后变小，光学带隙变宽，但当掺硅达到一定量时，光学带隙有所降低。随着硅掺入量的增加，薄膜的红外透过率显著提高；光的发射中心“蓝移”并且强度增加。XPS的结果表明薄膜的sp^3／sp^2的比率随着硅含量的增加而变大。