【摘 要】
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氢化非晶态硅具有优异的光电导特性,作为摄象管靶面是其应用的一个重要方面,有关的基本情况可参见。本文将介绍我们实验室用射频溅射方法制成的氢化非晶硅靶面的工艺和特性
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氢化非晶态硅具有优异的光电导特性,作为摄象管靶面是其应用的一个重要方面,有关的基本情况可参见。本文将介绍我们实验室用射频溅射方法制成的氢化非晶硅靶面的工艺和特性。方案的选择为了制取a—Si:H薄膜,迄今为止最为成熟的技术是辉光放电分解法(也称GD法)和反应溅射法(也称SP法)。这两种方法的装置见图1。
Hydrogenated amorphous silicon has excellent photoconductivity and is an important aspect of its application as a target of a video tube. For the basic information, see the relevant section. This article describes the process and characteristics of hydrogenated amorphous silicon target surfaces made by our laboratory using radio frequency sputtering. Program Options In order to make a-Si: H thin films, the most mature technologies to date are glow discharge decomposition (also known as GD) and reactive sputtering (also known as SP). The two devices are shown in Figure 1.
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