【摘 要】
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利用红外吸收谱等微观分析对氧化硅和氨化硅薄膜的成分和结构进行了研究．采用高频Ｃ－Ｖ测试和准静态离子电流法测量了氧化硅、氯化硅及其复合膜的界面特性，结果表明ＰＥＣＶＤＳｉＯ２－ＳｉＮ双层结构的复合膜
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利用红外吸收谱等微观分析对氧化硅和氨化硅薄膜的成分和结构进行了研究．采用高频Ｃ－Ｖ测试和准静态离子电流法测量了氧化硅、氯化硅及其复合膜的界面特性，结果表明ＰＥＣＶＤＳｉＯ２－ＳｉＮ双层结构的复合膜对半导体器件表面有良好的钝化效果．
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