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随着芯片特征尺寸的持续缩小．IC制程的革新上演着一幕幕改朝换代的传奇故事。轻松的如铜互连PK铝互连，艰难的有LowK、HighK材料部分替代SiO2。其中最富戏剧性的莫过于193nm光刻技术对157nm光刻的绝地大反击。2002年以前．业界普遍认为193nm无法延伸到65nm制程．而157nm将成为主流技术。而如今浸没式光刻不但帮助193nm重拾信心并成功延伸至65nm制程，且193nm浸没式光刻迅速成为45nm制程的主流技术．并极可能继续向下延伸。