DCXRD分析Ge／Si（001）多层纳米岛材料

• 作 者: 时文华 薛春来 罗丽萍 王启明
• 机 构: 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室
• 出 处: 中国科技信息
• 发表日期: 2008年1期
• 关键词: SI Ge 纳米岛 岛 X射线 Si Ge nano-dot island X-ray
• 基金项目: 基金项目：国家重点基础研究发展规划（批准号：G2000036603）及国家自然科学基金（批准号：60336010、90104003、90401001）

结合透射电镜与原子力显微镜实验，用双晶X射线衍射方法分析了Ge/Si多层纳米岛材料，衍射的卫星峰可以被分解为两个洛仑兹峰，它们分别源于材料的浸润层区和纳米岛区。利用透射电镜得到Si和SiGe层的厚度比，估算出浸润层区与岛区的Ge组分分别为0.51和0.67，这是一种简单估算 Ge/Si多层纳米岛材料中Ge组分的方法。