【摘 要】
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采用传统工艺制备了（Na0.84K0.16）0.5Bi0.5TiO3压电陶瓷,研究掺杂离子Sb3＋对（Na0.84K0.16）0.5Bi0.5TiO3微观结构和电性能的影响。结果表明烧结温度在1160℃时,样品密度达到最大值5
【基金项目】
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陕西省教育厅基金资助项目（2010JK456）, 温州科技局基金资助项目（H20100030）, 陕西科技大学校内自选基金资助项目（ZX10-24）
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采用传统工艺制备了（Na0.84K0.16）0.5Bi0.5TiO3压电陶瓷,研究掺杂离子Sb3＋对（Na0.84K0.16）0.5Bi0.5TiO3微观结构和电性能的影响。结果表明烧结温度在1160℃时,样品密度达到最大值5.85g/cm3;X射线衍射（XRD）分析所有陶瓷样品均为钙钛矿相,Sb2O3的掺杂只改变晶胞体积或产生铋离子空位或钠离子空位,不形成异相;掺杂量在0.4%~0.6%时介电常数先增加后减小,介电损耗呈现增大趋势;掺杂0.5%的Sb2O3时,d33最大为142pC/N。
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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技