【摘 要】
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本文将D.T.J.Hurle的点缺陷平衡模型推广到三元Ⅲ-V族化合物.从理论上计算了Sn、Ge和Te等元素掺杂Al_xGa_(1-x)As时,载流子浓度与液相杂质浓度的关系曲线.计算结果与实验值相
【机 构】
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吉林大学电子科学系,吉林大学电子科学系 上海交通大学电子工程系
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本文将D.T.J.Hurle的点缺陷平衡模型推广到三元Ⅲ-V族化合物.从理论上计算了Sn、Ge和Te等元素掺杂Al_xGa_(1-x)As时,载流子浓度与液相杂质浓度的关系曲线.计算结果与实验值相符.
In this paper, the DTJHurle point-defect equilibrium model is generalized to ternary group III-V compounds. Calculations of the effect of carrier concentration and liquid phase impurities on the Al_xGa_ (1-x) As doped with elements such as Sn, Concentration curve.The calculated results are consistent with the experimental values.
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