SOI的自加热效应与SOI新结构的研究

• 作 者: 林青 谢欣云 等
• 机 构: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
• 出 处: 功能材料与器件学报
• 发表日期: 2002年2期
• 关键词: 自加热效应 沟道电流 跨导畸变 负微分迁移率 SOI self -heating effectdrain curren taberration of trans
• 基金项目: 国家自然科学基金(No.90101012),,国家重点基础研究项目(No.G20000365)

阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响，并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求，国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构，如SOIM，Silicon onAlN,GPSOI,SiCOI,GeSiOI,SON,SSOI等，结论SOI新结构制备工作，报道了SOI的自加热效应及其新结构的研究进展。