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研究了等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜的内应力。通过改变沉积工艺参数,研究了射频功率、反应气体流量比、载气体分压比和反应压强对氮化硅薄膜的内应力的影响,并且分析了氮化硅薄膜内应力的形成机制。制备出了应力只有-182.4MPa的低应力氮化硅薄膜。
PECVD氮化硅薄膜内应力试验研究
【摘 要】
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研究了等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜的内应力。通过改变沉积工艺参数,研究了射频功率、反应气体流量比、载气体分压比和反应压强对氮化硅薄膜的内应力的影响,并且分析
【机 构】
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中国科学技术大学精密机械与精密仪器系
【出 处】
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新技术新工艺
【发表日期】
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2008年01期
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