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我们利用光调制反光谱研究了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱，观察到了电子的１１Ｈ及１１Ｌ跃近，通过改变表面垒的厚度，使得真空垒对阱中民影响发生变化，由于量子阱中电子态所受的听加强，我们观察到了价带到导上跃迁明显的蓝移（ＨＨ１到Ｅ１，ＬＨ１到Ｅ１），这种蓝移的现象可以用方势阱加真空势垒及内建电场的模型来解释。