【摘 要】
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采用多晶硅电极接触三区（发射区、基区、集电区）低掺杂同质结结构，已研制出电流增益在７７ＫｈＦＥ＝２２０—２９７；在６．２ＫｈＦＥ＝１２．３；在１０ＫｈＦＥ＝２１．７，β＝４２的低温双极晶体管．本文还用隧穿机理推导出ｈＦＥ（Ｔ）的新的表示式，很好地解释了这种器件的ｈＦＥ温度
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采用多晶硅电极接触三区（发射区、基区、集电区）低掺杂同质结结构，已研制出电流增益在７７ＫｈＦＥ＝２２０—２９７；在６．２ＫｈＦＥ＝１２．３；在１０ＫｈＦＥ＝２１．７，β＝４２的低温双极晶体管．本文还用隧穿机理推导出ｈＦＥ（Ｔ）的新的表示式，很好地解释了这种器件的ｈＦＥ温度特性、Ｇｕｍｍｅｌ特性和ｈＦＥ－Ｉｃ特性．
The polycrystalline silicon electrode is in contact with the low-doped homojunction structure of three regions (emitter region, base region, collector region), and the current gain has been developed at 77KhFE = 220-297; at 6.2KhFE = 12.3; at 10KhFE = 21 .7, β = 42 low temperature bipolar transistor. In this paper, a new expression of hFE (T) is also deduced by means of tunneling mechanism, which gives a good explanation of the hFE temperature characteristics, Gummel characteristics and hFE-Ic characteristics of this device.
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