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SI基IGBT广泛的应用于铁路牵引变换器上,而在不远的将来,SiC将有望在三个方面突破开关器件的极限：高闭锁电压,高工作温度和高开关速度。如今,第一代SiC MOSFET模块已经在市场出现,并且前景很好。虽然仍旧受限于击穿电压,但这种大间隙器件还是会提高牵引链效率。特别是有望能够明显的降低开关损失,从而能够提高功率重量比。