锗氮共掺碳化硅晶体杂质浓度表征及其电学性质研究

• 作 者: 李天 陈秀芳 杨祥龙 谢雪健 张福生 肖龙飞 王荣堃 徐现刚
• 机 构: 山东大学晶体材料国家重点实验室,全球能源互联网（山东）协同创新中心,国网山东省电力公司电力科学研究院
• 出 处: 无机材料学报
• 发表日期: 2018年5期
• 关键词: 物理气相传输法 Ge掺杂 晶格匹配 欧姆接触 迁移率 Ge doping lattice Ohmic contact mobility
• 基金项目: 国家重点研发计划（2016YFB0400401）, 装备预研教育部联合基金（青年人才）（6141A0232）, 国家自然科学基金（51502156,61327808,61504075）, 国家电网公司科技项目（SGSDDK00KJJS1600071）, 国家重点基础研究发展计划（973计划）（2013CB632801）

采用物理气相传输（PVT）法生长了2英寸（1英寸=25.4 mm）锗氮（Ge-N）共掺和单一Ge掺杂碳化硅晶体材料,并制备成10 mm′10 mm的SiC晶片。利用半导体工艺技术在不同衬底的碳面上制备钛（Ti）/铂（Pt）/金（Au）多层金属电极。使用二次离子质谱仪（SIMS）、霍尔测试仪（Hall）等测试手段对其表征。结果表明,Ge元素和N元素的共同掺杂可以有效提高SiC中Ge元素的掺杂浓度,Ge浓度可以达到1.19′1019/cm3。所有晶片衬底均可以在不低于700℃的退火环境中形成欧姆接触,且在70