【摘 要】
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分析研究了应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管(SGOI pMOSFET)的阈值电压模型,修正了应变作用下SGOI pMOSFET的能带模型,并提取了主要的物理参量.这些典型的参量包括
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,
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分析研究了应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管(SGOI pMOSFET)的阈值电压模型,修正了应变作用下SGOI pMOSFET的能带模型,并提取了主要的物理参量.这些典型的参量包括禁带宽度、电子亲和能、内建势等.给出了应变硅SGOI pMOSFET内部电势分布的二维泊松方程,通过边界条件求解方程,得出了准确的阈值电压模型,并且验证了该模型的正确性.
The threshold voltage model of the SGI pMOSFET on the strained insulating layer was analyzed and the bandgap model of the SGOI pMOSFET under strain was corrected and the main physical parameters were extracted.These typical parameters Including the forbidden band width, the electron affinities, the built-in potentials, etc. The two-dimensional Poisson’s equation of the internal potential distribution of the strained silicon SGOI pMOSFET is given and the equation is solved by the boundary conditions to get the accurate threshold voltage model, The correctness of the model.
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