【摘 要】
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本文从自发极化对表面态电荷屏蔽的机制出发,讨论多晶铁电半导体晶界处肖特基势垒的特征,并作了数值估算.由此得出的结果,对理解多晶铁电半导体中的PTCR效应是有益的.
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本文从自发极化对表面态电荷屏蔽的机制出发,讨论多晶铁电半导体晶界处肖特基势垒的特征,并作了数值估算.由此得出的结果,对理解多晶铁电半导体中的PTCR效应是有益的.
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