【摘 要】
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对Si_3N_4/SiO_2/Si多层膜系统对Ar~+激光的反射率进行了模型计算,设计了各种结构的抗反射条并且用CW—Ar~+激光对两种结构进行了再结晶实验研究。通过实验,确定了最佳的抗反
【机 构】
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对Si_3N_4/SiO_2/Si多层膜系统对Ar~+激光的反射率进行了模型计算,设计了各种结构的抗反射条并且用CW—Ar~+激光对两种结构进行了再结晶实验研究。通过实验,确定了最佳的抗反射膜结构和条宽。用这种结构可以很好地将晶界限制在低反射区。实验结果支持了计算模型和设计。在设定的区域(500μm×300μm)范围内可以得到无晶界的条形薄膜(由光刻决定条的位置)。把MOSFET的栅区制作在膜的无晶介条上,测量得到表面电子和空穴迁移率分别为(μ-)_n=630cm~2/V·S·(μ-)_p=143cm~2/V·S;NMOS与PMOS管单位沟道宽度的沟道漏电流分别为I_n=3.3pA/μm,I_p=0.067pA/μm。
The reflectivity of Ar ~ + laser in Si_3N_4 / SiO_2 / Si multilayer system was calculated and the anti-reflection strips of various structures were designed. The two structures were recrystallized by CW-Ar ~ + laser . Through experiments, the best anti-reflection film structure and strip width were determined. With this structure, the grain boundary can be well confined to the low reflection region. The experimental results support the calculation model and design. A stripe-free thin film (the position of the stripe determined by the photolithography) can be obtained within the set area (500 μm × 300 μm). The gate region of the MOSFET was fabricated on the Ag-free film of the film. The mobility of surface electrons and holes were measured as (μ -) _ n = 630cm ~ 2 / V · S · (μ -) _p = 143cm ~ 2 / V · S; The channel leakage current of channel width of unit of NMOS and PMOS is I_n = 3.3pA / μm, I_p = 0.067pA / μm respectively.
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