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旋转CVI是在CVI原理基础上发展的一种制备C/SiC复合材料的新工艺,通过石墨衬底的旋转,使预制体的制备与基体的沉积同步进行,能有效消除一般DVI工艺过程中存在的“瓶颈”效应。在自制的旋转CVI设备上实验,探索了旋转CVI工艺参数中CH3SiCl3(MTS)的流量与 度、沉积温度和C布缠绕线速度对SiC基体沉积速度,以及沉积温度对基体 影响,并在低压、高温(1100℃)400mL.min^-1H