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本试验利用框架剖面法测定了大豆根系的生长动态和根系活性变化。结果表明：大豆根系生长过程呈Ｓ型曲线变化，形成慢生长（Ｖｅ－Ｖ３），快速生长（Ｖ３－Ｒ５）和衰老（Ｒ５），三个阶段，高峰值出现在Ｒ４－Ｒ５阶段。根系活性变化与根系生长特点相似，Ｒ１时期之前根系活性逐渐增强，Ｒ２时期之后根系活性下降。根系活性变化比根系生长提前。