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在室温和注入能量为60 keV的条件下,在硅晶片中注入C＋,使其剂量达到5.0×1016cm-2,随后即对样品进行高温退火处理。采用X射线衍射（XRD）,拉曼和光致发光（PL）光谱技术对样品进行了表征。实验结果显示：C＋注入后经高温退火的样品的XRD图谱中,在40°附近处出现了衍射峰,表明经退火后样品中形成了纳米尺寸的SiC团簇,并观察到了强烈的蓝光发射。PL光谱中的蓝光峰起源于量子限制效应。