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用固态源ＭＢＥ技术生长了ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ多量子阱材料，研究了通过改变多量子阱ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ中的结构参数，如多量子阱中ＩｎＧａＡｓＳｂ的阱宽，ＡｌＧａＡｓＳｂ的垒宽及垒层中Ａｌ组分和阱层中的Ｉｎ组分，多量子阱中的阱数等，来提高ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ多量子阱的ＰＬ强度。