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通过将下波导层掺杂为ｐ型，使半导体激光器的有源区与ｐｎ结分离，制作了大功率远结半导体激光器。该器件在老化期间表现出输出功率变大的趋势。理论分析表明，远结半导体激光器特殊的外延结构，决定了器件的阈值比正常器件的高，但是阈值受温度的影响较小，并且器件的退化机制转变为ｐｎ结的退化，这对于制作高可靠性、长寿命、低温度敏感性的半导体激光器具有重要意义。