【摘 要】
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针对AlGaN基多量子阱中有效的平衡载流子注入问题,研究了有源区势垒层中Al组分调制形成的非规则H形量子势垒对AlGaN基深紫外发光二极管(LED)器件性能的影响及载流子的输运行
【机 构】
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安徽工程大学高端装备先进感知与智能控制教育部重点实验室,安徽工程大学电气工程学院,北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心,安徽工程大学外国语学院
【基金项目】
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国家自然科学基金(61306108),教育部留学回国人员科研启动基金(2013693),安徽工程大学拔尖人才计划(20190508)资助项目
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针对AlGaN基多量子阱中有效的平衡载流子注入问题,研究了有源区势垒层中Al组分调制形成的非规则H形量子势垒对AlGaN基深紫外发光二极管(LED)器件性能的影响及载流子的输运行为。研究发现,与多量子阱中常用的单Al组分势垒相比,加入Al组分较高的双尖峰势垒可以有效地提高内量子效率和光输出功率。进一步研究表明,电子在有源区因凸起的尖峰势垒而得到了有效的阻挡,减少了电子的泄露,而空穴获得更多的动能从而穿过较高的势垒进入有源区。因此,采用非对称H形量子势垒的深紫外LED器件中载流子输运实现了较好的平衡,量子阱
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