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为解决目前多晶体硅太阳能电池组件在电站大规模应用中出现的PID现象,通过采用常规PECVD镀膜工艺多晶硅电池片和抗PID镀膜工艺多晶硅电池片,以及EVA和聚烯烃材料（PO）组合制备了4种组件,在高于IEC62804规定的实验条件下进行PID试验。研究分析了4种不同组件的PID实验前后性能的变化。结果表明,采用减反膜折射率2.16的抗PID电池片组件能够改善组件抗PID性能,但是效果不明显。采用聚烯烃材料（PO）代替EVA,可以明显改善组件的抗PID性能。同时采用减反膜折射率2.16的抗PID电池片和聚烯烃