PECVD氮化硅在话筒专用管生产中的应用

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1985年全国话筒专用晶体管质量评比中高温反偏试验几乎没有一个厂家合格.此后,我们经过大量试验份析,认为主要是钠离子沾污,可动钠离子(Na~+)存在于SiO_2与金属界面附近的陷阱中,在高温反偏电场的作用下向PN结表面附近集中,造成器件失效.为了减少钠离子沾污,在合金化以后,生长一层 In 1985, there was almost no qualified high-temperature reverse bias test in the quality evaluation of national special transistor for microphones. Since then, after a large number of tests and analysis, we believe that sodium ion is the main pollutant. Na + In the trap near the interface, the device concentrates near the surface of the PN junction under the action of a high-temperature reverse bias electric field. In order to reduce the sodium ion contamination, after the alloying, grow a layer
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