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化学气相沉积(CVD)碳化硅(SiC)具有细晶粒、高纯度和高致密性等优点,因此常用于空间反射镜光学致密表面层的制备.在本案,笔者选取CH3SiCl3(一甲基三氯硅烷)和H2,并在制备SiC膜层时运用CVD工艺,然后实验分析膜层的生长特性,以期为控制膜层在生长过程中产生的缺陷提供可靠依据.
化学气相沉积(CVD)碳化硅厚膜的实验分析
【摘 要】
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化学气相沉积(CVD)碳化硅(SiC)具有细晶粒、高纯度和高致密性等优点,因此常用于空间反射镜光学致密表面层的制备.在本案,笔者选取CH3SiCl3(一甲基三氯硅烷)和H2,并在制备SiC
【机 构】
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210000,南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 江苏 南京
【出 处】
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数字化用户
【发表日期】
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2017年14期
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