【摘 要】
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研究了ｎ型多晶硅薄膜和铝的欧姆按触、整流接触。在掺杂浓度Ｎ≥２．９×１０１９ ｃｍ－３的情况下为欧姆接触：在掺杂浓度Ｎ≤２．９×１０１８ｃｍ－３的情况下为整流接触； 用ＴＬＭ方法测出了Ｎ＝２．９×１０１９ｃｍ－３时的接触电阻率ρｃ＝５．５４×１０－３Ω．ｃｍ２； 从理论上定量地
【机 构】
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大连理工大学物理系,东北微电子研究所
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研究了ｎ型多晶硅薄膜和铝的欧姆按触、整流接触。在掺杂浓度Ｎ≥２．９×１０１９ ｃｍ－３的情况下为欧姆接触：在掺杂浓度Ｎ≤２．９×１０１８ｃｍ－３的情况下为整流接触； 用ＴＬＭ方法测出了Ｎ＝２．９×１０１９ｃｍ－３时的接触电阻率ρｃ＝５．５４×１０－３Ω．ｃｍ２； 从理论上定量地分析了掺杂浓度（１．４×１０１７～２．９×１０１９）ｃｍ－３的Ｕ－Ｉ特性曲线．理 论计算结果和实验数据符合较好．讨论了肖特基势垒高度φｂ和晶粒间界势垒高度φｇ 随掺杂浓度变化的规律，φｂ不随Ｎ变化，保持为常数；而φｇ却有极值。在实验 方面．探讨了用Ｔｉ代替Ａ１实现低阻浅结欧姆接触的可能性。在掺杂浓度较低的情 况下，给出了制备欧姆接触的方法。
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