Cr^3＋：LiNbO3单晶的坩埚下降法生长及其特征研究

• 作 者: 夏海平 王金浩 曾宪林 章践立 张约品 徐键 聂秋华
• 机 构: 宁波大学
• 出 处: 功能材料
• 发表日期: 2005年2期
• 关键词: 掺铬铌酸锂晶体 熔体晶体生长 坩埚下降法 格位 光谱 ChromiumCrystal growth from meltDoping (additives)Flu

用坩埚下降法技术,选用同成分化学计量的铌酸锂为初始原料,在合适的生长速度(1～4mm/h)与温度梯度(20～30℃/cm)下成功地生长出了无宏观缺陷、掺杂不同Cr3+离子浓度的铌酸锂单晶.测定了晶体的吸收光谱.Cr3+离子在晶体中以三价态存在,沿着生长方向晶体中Cr3+离子的含量逐步减少.用顺磁共振谱(EPR)研究了晶体中Cr3+离子的格位情况,结果表明Cr3+离子取代Li与Nb两种格位.测定了晶体的发射光谱并研究了发射强度随吸收强度的变化关系.