【摘 要】
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台积电(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.,Ltd.)在“IEDM2012”上公布,使用与硅基FinFET相同的工艺技术在硅基板上制成了锗沟道FinFET,并获得了出色的晶体管特性。台
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台积电(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.,Ltd.)在“IEDM2012”上公布,使用与硅基FinFET相同的工艺技术在硅基板上制成了锗沟道FinFET,并获得了出色的晶体管特性。台积电表示,电导率/S因子(gm/SS)的数值作为未施加应变的多栅极构造锗沟道FET,为迄今报告过的最出色数值。
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. announced at “IEDM2012 ” that germanium-channel FinFETs were fabricated on silicon substrates using the same process technology as silicon-based FinFETs and achieved excellent transistor characteristics. TSMC said that the conductivity / S factor (gm / SS) as the number of unstrained multi-gate structure germanium channel FET, is the best reported value so far.
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