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【摘 要】
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研究了GaAs HBT高能电子（～1MeV）辐照的总剂量效应。结果表明,电子辐照后GaAs HBT的基极电流增大,辐照损伤程度随辐照总剂量增加而增加,这和其他研究观察到的现象相同。所不同的
【机 构】
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四川大学物理科学与技术学院微电子系,微电子技术四川省重点实验室
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2010年3期
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