离子束外延β—FeSi2／Si薄膜的电子能谱研究和表征

• 作 者: 吴正龙 秦复光
• 机 构: 北京师范大学分析测试中心,中国科学院半导体研究所
• 出 处: 北京师范大学学报：自然科学版
• 发表日期: 1998年2期
• 关键词: 电子能谱 离子束外延 增强扩散 硅化铁 薄膜 β-FeSi_2 electron spectrum ion beam epitaxy enhanced diff
• 基金项目: 国家自然科学基金!96276003

用电子能谱分析方法对低能离子束外延（ＩＢＥ）生长的β－ＦｅＳｉ２进行了详细研究，并对其电子能谱进行了表征。实测出ＸＰＳ价带谱与有关理论计算结果相符，用ＸＰＳ价带谱来表征β－ＦｅＳｉ２比光电子峰更为清晰、可取。同时，对样品纵向分析表明界面处存在有较厚的过渡层。根据分析结果对低能ＩＢＥ生长机理进行了探讨。经研究认为：Ｆｅ，Ｓｉ通过空位机制进行的增强互扩散，在高温下生长出与Ｓｉ晶格相匹配的β－ＦｅＳｉ２