La2／3（CaxBal—x）1／3MnO3材料的绝缘体—金属转变与晶界效应

• 作 者: 赖恒 陈水源 陈志高 李永森 黄志高
• 机 构: 福建师范大学物理系
• 出 处: 稀土
• 发表日期: 2003年2期
• 关键词: 电阻 掺杂I-M转变 晶界效应 非磁无序 resistancedopinggrain boundary effectnonmagnetic randomness
• 基金项目: 福建省自然科学基金资助项目(E0010022),,福建省科技厅资助项目(2000E146),,教育部骨干教师资助项目(BD041)

用固相反应法制备了La2/3(CaxBal—x)1/3MnO3(x＝0．00，0．40，0．45，0．55，0．60，1．00)六种多品CMR材料，并测量了在77K-350K范围内零磁场和0．4T外磁场下的电阻率。这些样品都出现了双电阻峰结构，采用Mott转变表达式ρ—exp(T0／T)^1/4拟合了实验数据，结果表明高温峰的转变是绝缘体-金属(I一M)转变，而低温峰不是I—M转变峰，用自旋极化电子隧道效应和局域化模型解释了电阻和磁电阻行为。此外，在x＝0．4-0．6掺杂范围内样品呈现出异常的电阻行为。