【摘 要】
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该文研究了相关工艺参数对二氟化氙（XeF2）干法释放多晶硅的释放速率的影响。结果表明,对于薄膜体声波谐振器（FBAR）悬臂结构,腔室压力不变时,随着载气N2流量的增大,刻蚀速率先增加
【机 构】
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中国电子科技集团公司第二十六研究所
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该文研究了相关工艺参数对二氟化氙（XeF2）干法释放多晶硅的释放速率的影响。结果表明,对于薄膜体声波谐振器（FBAR）悬臂结构,腔室压力不变时,随着载气N2流量的增大,刻蚀速率先增加后减少,刻蚀速率最大值为10.3μm/min;载气N2流量不变时,腔室压力越大,工艺腔室参与刻蚀反应的XeF2气体的浓度增大,刻蚀速率越大。当腔室压力超过1 200Pa时,随着腔室压力的增加,刻蚀速率的增长率逐渐减小。
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