【摘 要】
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本文采用基于密度泛函理论（DFT）框架下广义梯度近似平面波超软赝势法，计算了立方CdHgSe2的电子结构和光学性质。计算结果表明立方CdHgSe2是直接带隙半导体，禁带宽度为0．03eV，优化后
【出 处】
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中山大学研究生学刊：自然科学与医学版
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本文采用基于密度泛函理论（DFT）框架下广义梯度近似平面波超软赝势法，计算了立方CdHgSe2的电子结构和光学性质。计算结果表明立方CdHgSe2是直接带隙半导体，禁带宽度为0．03eV，优化后的结构参数与其他文献结果基本一致。计算了立方CdHgSe2的复介电常数、复折射率、反射率、吸收系数、复光电导率和损失函数。通过对比发现，由于半导体合金材料的结构，导致立方CdHgSe2在（100）和（010）方向上具有光学各向异性。由于这是第一次理论预言立方CdHgSe2的光学性质，因此需要进一步的实验来证实。
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