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本工作说明，在低压氧气氛中，应用铟源的反应蒸发很容易淀积高质量的Ｉｎ３Ｏ３透明导电膜，虽然没有使用锡杂南，但所得膜在性能可以和最好的４掺锡的Ｉｎ２Ｏ３膜相比，膜电阻率达２－３×１０＾４Ω＝ｃｍ，可见光透过率超过９０％，并且膜生长速率达２１９Ａ／ｍｉｎ，文章对成膜过程作了分析，报道了膜的最佳淀积条件，对由于偏离最佳淀积参数而导致的异常膜的形成机制也进行了讨论。