【摘 要】
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由德国OsramOptoSemiconductor公司领导的一个研究小组最近首次成功地研制了欧洲第一只InGaN基激光器。这项研究计划由德国政府牵头,参与者包括Fraunhofer应用固态物理研究所
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由德国OsramOptoSemiconductor公司领导的一个研究小组最近首次成功地研制了欧洲第一只InGaN基激光器。这项研究计划由德国政府牵头,参与者包括Fraunhofer应用固态物理研究所、Stuttgart大学、Braunschweig大学、Ulm大学和Infineon技术学院等单元。激光器结构是在SiC衬底上生长
A research group led by Osram OptoSemiconductor in Germany recently successfully developed the first InGaN-based laser in Europe for the first time. The research project is led by the German government and includes units such as the Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics, the University of Stuttgart, the University of Braunschweig, the University of Ulm and the Infineon Institute of Technology. The laser structure is grown on a SiC substrate
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