介孔SnO2的制备及气敏性能研究

来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wuweijie2009
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采用CTAB模板法制备了具有介孔结构的Sn02。通过小角X射线衍射,BET法对其进行了表征。采用静态配气法对介孔Sn02的气敏性能进行了研究。结果表明:随着煅烧温度的升高,介孔Sn02的比表面积从105.54m^2/g降到38.11m^2/g。通过延长陈化时间和进一步水热处理可以增加介孔SnO2材料的比表面积。气敏测试表明:在4.5V加热电压下,气敏元件对体积分数为50x10^-6酒精蒸气有较好的气敏性能,灵敏度为9.4,响应一恢复时间均为8s。
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