d4(D2d)EPR理论及ZnS:Cr2+的光-磁性质研究

来源 :原子与分子物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiaoliang668

【摘要】

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ZnS:Cr2+半导体是重要的光——电器件材料。由于Zn离子处在四硫配位的D畸变四面体位置,所以许多工作企图用D四面体模型（T2为基态）对Cr2+杂质

【作者】

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吴平锋王慧素赵尚勃

【机构】

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湖南吉首大学物理系,四川师大物理系,四川师大化学系

【出处】

：

原子与分子物理学报

【发表日期】

：

1990年S1期

【关键词】

：

磁性质 EPR ZnS:Cr d~4 本征矢本征值组态混合场方法器件材料理论解释

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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ZnS:Cr2+半导体是重要的光——电器件材料。由于Zn离子处在四硫配位的D畸变四面体位置,所以许多工作企图用D四面体模型（T2为基态）对Cr2+杂质的光学谱和电子顺磁共振（EPR）实验资料进行理论解释,但都未成功。本文改用D八面体模型（5E→5B2<

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