【摘 要】
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铝在超大规模集成电路(VLSI)金属化中存在着一系列影响互连可靠性的因素。但是,铝仍是多层互连结构有前途的材料,尤其是用电子束蒸发制作所谓“竹节结构”(bamboo struct)连
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铝在超大规模集成电路(VLSI)金属化中存在着一系列影响互连可靠性的因素。但是,铝仍是多层互连结构有前途的材料,尤其是用电子束蒸发制作所谓“竹节结构”(bamboo struct)连线获得了理想的结果。在高真空条件下,电子来蒸发耐熔金属可以在相当低的温度下(550～650℃)获得高质量的硅化物层(TiSi_2、CoSi_2),可避免与硅接触的地方产生强应力。用钨作阻挡层和连线比Al更有前途,这首先是因为耐电迁移强度差不多要高两个数量级。对于淀积平整的介质层来说,把蒸气混合物激励淀积到负温度衬底上是有发展前
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