一种曲率补偿CMOS带隙基准源

• 作 者: 王帅旗 李福乐 王志华 张天义
• 机 构: 北京大学微电子系,清华大学微电子研究所
• 出 处: 微电子学
• 发表日期: 2005年5期
• 关键词: CMOS 带隙基准源 曲率补偿 低功耗 CMOS Bandgap reference Curvature compensation Low power cons
• 基金项目: 国家自然科学基金

介绍了一种可提供1.438 V基准电压的曲率补偿带隙基准源.采用一种极其简单有效的方法,直接实现曲率补偿.该电路采用双金属双多晶硅0.6 μm CMOS工艺制造,用于驱动一个10位20 MS/s A/D转换器.仿真结果显示,该带隙基准源在室温5 V电源电压下,仅耗用64 μA电流;0～80°C范围内,温度系数为13.7 ppm/K, 电源电压抑制比为64.7 dB.