【摘 要】
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源极跟随器在高跨导、大负载电阻时,其输入电容近于MOS晶体管反馈电容,本文提出了利用此原理测试MOS管反馈电容和输入电容的方法。与利用密勒积分效应测量反馈电容等方法比较
【机 构】
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浙江大学半导体器件教研室,浙江大学半导体器件教研室
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源极跟随器在高跨导、大负载电阻时,其输入电容近于MOS晶体管反馈电容,本文提出了利用此原理测试MOS管反馈电容和输入电容的方法。与利用密勒积分效应测量反馈电容等方法比较,本方法具有测量简便、准确的优点,尤其是适于在MOS晶体管生产中电容参数的测量。
When the source-follower has a high transconductance and large load resistance, the input capacitance of the source-follower is close to the MOS transistor feedback capacitance. In this paper, a method for testing the feedback capacitance and the input capacitance of a MOS transistor by using this principle is proposed. Compared with the method of using Miller integral effect to measure the feedback capacitance, this method has the advantages of simple and accurate measurement, especially for the measurement of capacitance parameters in MOS transistor production.
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