808nm InGaAsP—InP单量子阱激光器热特性研究

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【摘要】

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从InGaAsP-InP单量子阱激光器结构分析入手，采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP—InP单量子阱激光器热特性进行了研究．实验表明，在2370℃的温度范围内，器件的功率由1．74W降到

【作者】

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张永明钟景昌路国光秦莉赵英杰郝永芹姜晓光

【机构】

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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,沈阳化工学院材料科学与工程学院,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

【出处】

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光子学报

【发表日期】

：

2006年1期

【关键词】

：

单量子阱激光器 808 NM InGaAsP-InP热特性特征温度 SQW Laser 808 nm InGaAsP-InP Thermal chara

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从InGaAsP-InP单量子阱激光器结构分析入手，采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP—InP单量子阱激光器热特性进行了研究．实验表明，在2370℃的温度范围内，器件的功率由1．74W降到0．51W，斜率效率由1．08W／A降到0．51W／A．实验测得其特征温度T0为325K．激射波长随温度的漂移dZ／dT为0，44nm／℃．其芯片的热阻为3．33℃／W.

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